特許
J-GLOBAL ID：200903002092492670
半導体多層膜反射鏡およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173877
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343814
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 反射率を損なうことなくバンドギャップの不連続に起因する電気抵抗の増加を抑制する。【構成】 半導体多層膜反射鏡10を構成する不純物濃度が1×1017(個/cm3 )程度の第1半導体14および第2半導体16の層界面18にプレーナドーピングを行うことにより、その層界面18の不純物濃度を5×1018(個/cm3 )程度として他の部分よりも高くした。
請求項（抜粋）：
組成が異なる複数種類の半導体が周期的に結晶成長させられ、入射した光を光波干渉によって反射する半導体多層膜反射鏡において、前記複数種類の半導体の層界面の不純物濃度が、結晶成長させられた他の半導体部分よりも高められていることを特徴とする半導体多層膜反射鏡。
IPC (2件)：
引用特許：
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