特許

J-GLOBAL ID：200903002093322906

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 中村 隆一 ,  喜納 修
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096733
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190922
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】 ゲート電極及びソース・ドレイン電極を形成する工程間において、熱の印加による寸法変動を回避し、生産効率を保持したまま、簡易な工程により、安定した特性を有する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート絶縁膜としてのフィルムのいずれかの面にゲート電極、それと異なる面にソース・ドレイン電極を、導電性材料が有機溶媒により溶解された溶液または分散体を印刷することにより形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、フィルムの一方の面に、いずれか一方の電極のパターン形状を前記溶液または分散体により印刷する工程と、先に印刷された電極のパターン形状の溶液または分散体を真空乾燥し、有機溶媒を揮発させて電極を形成する工程とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜としてのフィルムのいずれかの面にゲート電極、それと異なる面にソース・ドレイン電極を、導電性材料が有機溶媒により溶解された溶液または分散体を印刷することにより形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、 前記フィルムの一方の面に、いずれか一方の電極のパターン形状を前記溶液または分散体により印刷する工程と、 先に印刷された前記電極のパターン形状の溶液または分散体を真空乾燥し、有機溶媒を揮発させて電極を形成する工程と を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/288

FI (5件)：

H01L29/78 627C ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K

Fターム (35件)：

4M104AA09 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH00 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE37 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110HM19 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ16