特許
J-GLOBAL ID:200903002097193710
打抜き性に優れた高磁束密度無方向性電磁鋼板の製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
苫米地 正敏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-186999
公開番号(公開出願番号):特開平7-090376
出願日: 1993年06月30日
公開日(公表日): 1995年04月04日
要約:
【要約】【目的】 優れた打抜き性と高磁束密度を有する無方向性電磁鋼板を得ること【構成】 Si:0.1〜1.5%、Al≦0.004%又はAl:0.1〜0.5%、Si+Al≦1.7%、C≦0.005%で、Mn、S、P、N量を特定の範囲とした鋼を所定の熱延条件で熱延した後、鋼板のSi+Al量によって規定される温度で巻取処理を行うことにより、熱延板の表層を再結晶組織、中央部を未再結晶組織とするとともに、再結晶組織と未再結晶組織の割合を最適化し、これに特定の範囲の圧下率で軽圧下圧延を行った後、Si+Al量と巻取温度によって規定される焼鈍温度で熱延板焼鈍を行うことにより、熱延板表層部を歪粒成長組織、熱延板板厚中央部を再結晶・粒成長組織とし、集合組織を磁気特性に対して良好なものとするとともに、粒径を均一且つ適正なサイズにし、所定条件の冷延、仕上焼鈍後に優れた打抜き性と高磁束密度を得る。
請求項(抜粋):
Si:0.1〜1.5wt%、Al:0.004wt%以下または0.1〜0.5wt%、Si+Al:1.7wt%以下、C:0.005wt%以下、Mn:0.2〜1.0wt%、S:0.010wt%以下、P:0.20wt%以下、N:0.005wt%以下、残部Feおよび不可避的不純物からなる鋼を、1050〜1250°Cに加熱後、810°C以下の仕上温度で熱間圧延を行うか、または810°Cを超える仕上温度で熱間圧延を行う場合は最終3パスの合計圧下率を50%以上とした熱間圧延を行い、下記(1)式を満足する巻取温度T1(°C)で巻き取り、 15×(Si+Al)2+500≦T1≦25×(Si+Al)2 +620 ...(1)但し Si+Al:Si+Al含有量(wt%)酸洗後、圧下率3%超、20%以下の軽圧下圧延を行い、次いで、下記(2)式を満足する焼鈍温度T2(°C)で30分〜12時間の熱延板焼鈍を行い、 610+0.20×T1+20×(Si+Al)≦T2≦810 +0.15×T1+40×(Si+Al) ...(2)但し T1:熱延巻取温度(°C)Si+Al:Si+Al含有量(wt%)続いて、1回若しくは中間焼鈍を挾む2回以上の冷間圧延を行って所定の板厚とした後、700〜910°Cの温度範囲で30秒〜5分の仕上焼鈍を行うことを特徴とする打抜き性に優れた高磁束密度無方向性電磁鋼板の製造方法。但し 最終3パスの合計圧下率(%)=[1-(最終パス終了後の熱延板板厚/最終3パス前の熱延板板厚)]×100
IPC (4件):
C21D 8/12
, C22C 38/00 303
, C22C 38/06
, H01F 1/16
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
特開平1-306523
-
特開昭63-186823
-
特開平3-211258
前のページに戻る