特許

J-GLOBAL ID：200903002098628418

強誘電体キャパシタ用イリジウム電極及び酸化イリジウム電極

発明者： ファリッド アブーアメリ ,  ヴィスウェスワレン シヴァラマクリシュナン ,  コーシャル キショール シン ,  タレックス サジョト ,  ヴィセント リム ,  ジュン ツァオ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396817
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237392
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの組み合わせにより形成された上部電極及び下部電極を有するキャパシタ。【解決手段】 本発明は、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの組み合わせにより形成された上部電極及び下部電極を有するキャパシタを提供する。これら電極は、物理気相堆積を用いて形成されることが望ましい。前記電極の間に配置される絶縁層は、PZTやPLZT等の強誘電体セラミクスとすることが可能である。

請求項（抜粋）：

イリジウムと、酸化イリジウムと、これらの組み合わせとから成る群より選択された材料で形成される下部電極と、前記下部電極の上に形成される強誘電体セラミクスで作られている絶縁層と、イリジウムと、酸化イリジウムと、これらの組み合わせとから成る群より選択された材料で形成され、前記絶縁層の上に形成される上部電極とを有するキャパシタ構造。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/203 Z ,  H01L 21/316 B ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651