特許
J-GLOBAL ID：200903002109332389

有機太陽電池

発明者：
筒井 哲夫

筒井 哲夫 について

, 
安部 寛子

安部 寛子 について

, 
瀬尾 哲史

瀬尾 哲史 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-360375
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123208
出願日： 2004年12月13日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 従来の有機半導体素子の構成に新規な概念を導入することで、従来の超薄膜を用いることなく、より信頼性が高い上に歩留まりも高い有機半導体素子を提供することを課題とする。また、特に有機半導体を用いたフォトエレクトロニクスデバイスにおいては、その効率も向上させることを課題とする。【解決手段】 SCLCを流すことにより様々な機能を発現する有機薄膜層(機能性有機薄膜層)と、アクセプタまたはドナーをドープするなどの手法で暗導電性を発現させた導電体薄膜層(オーミック導電体薄膜層)を交互に積層した有機構造体を、陽極と陰極との間に設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に陽極を形成し、 前記陽極上に第1の正孔輸送層を形成し、 前記第1の正孔輸送層上に第1の電子輸送性発光材料からなる層を形成し、 前記第1の電子輸送性発光材料からなる層上に導電体薄膜層を形成し、 前記導電体薄膜層上に第2の正孔輸送層を形成し、 前記第2の正孔輸送層上に第2の電子輸送性発光材料からなる層を形成し、 前記第2の電子輸送性発光材料からなる層上に陰極を形成することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
IPC (2件)：
H05B33/12 ,  H05B33/14
FI (2件)：
H05B33/12 C ,  H05B33/14 A
Fターム (4件)：
3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007DA06 ,  3K007DB03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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