特許
J-GLOBAL ID：200903002110462261
ヘテロバイポ-ラトランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219228
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041388
出願日： 1991年08月05日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高コレクタ電流注入時での衝突電離による雪崩降伏現象を抑制するコレクタ層を形成し、耐圧特性の優れたヘテロバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。【構成】 第一の導電型のエミッタ層1、該エミッタ層1よりもバンドギャップの小さな第二の導電型のベース層2、及び第一の導電型の第一のコレクタ層4と第二のコレクタ層3からなるヘテロバイポーラトランジスタにおいて、前記第二のコレクタ層3に105A/cm2以上のコレクタ電流注入時の空間電荷を補償する濃度分布で第一の導電型を示す不純物が添加されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第一の導電型のエミッタ層、該エミッタ層よりもバンドギャップの小さな第二の導電型のベース層、及び第一の導電型の第一のコレクタ層と第二のコレクタ層からなるヘテロバイポーラトランジスタにおいて、前記第二のコレクタ層に105A/cm2以上のコレクタ電流注入時の空間電荷を補償する濃度分布で第一の導電型を示す不純物が添加されていることを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
