太陽電池素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051884
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259495
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】光電変換効率を上昇する。【構成】 n+ 型層10a、p型本体10c、p+ 型層10bからなるシリコン基板10の裏面側に、多層選択反射膜20を形成する。この多層選択反射膜20は、高屈折率層20aと低屈折率層20bが交互に配置されたものであり、1000±200nmの範囲の光の反射率が高いものとする。そこで、近赤外領域にある光を多層選択反射膜20が選択的に反射でき、この領域の光のシリコン基板10における吸収率が上昇し、光電変換率を上昇することができる。一方、波長が1200を超える領域の光については、多層選択反射膜20から透過する確率が大きいため、この波長領域の入射光によるシリコン基板10の温度上昇を防止でき、素子全体のエネルギー変換効率を高くすることができる。

請求項（抜粋）：

p領域およびn領域を有する結晶シリコン基板への光入射による正負キャリアの生成を利用した太陽電池素子であって、前記シリコン基板のp領域側の表面に接続された第1の電極と、前記シリコン基板のn領域側の表面に設けられた第2の電極と、前記シリコン基板の裏面側を覆うように形成され、表面側から入射しシリコン基板を透過してきた光の中の近赤外線を選択的に反射する多層反射膜と、を有することを特徴とする結晶シリコン太陽電池素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-101170
特開昭63-234567
特開昭57-192085

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