特許
J-GLOBAL ID：200903002110888153
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077811
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045698
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 可視光半導体レーザのようなGaAs基板上に作製したGaInPやAlGaInPの活性層を、これよりバンドギャップの大きなGaInPまたはAlGaInPのクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体発光素子において、クラッド層に高濃度ドーピングするとドーピングした不純物がクラッド層から活性層へ拡散し、活性層の結晶品質の低下やバンドギャップの変化が発生するという問題を解決する。【構成】 n型クラッド層を活性層14に近い側の低濃度ドーピング領域13と遠い側の高濃度ドーピング領域12とに分け、p型クラッド層を活性層14に近い側の低濃度ドーピング領域15と遠い側の高濃度ドーピング領域16とに分ける。これにより、クラッド層から活性層14への不純物の拡散を抑制しながらクラッド層全体の高濃度ドーピングを実現できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型GaAs基板上に、AlGaInPからなる活性層を、この活性層よりも大きなエネルギーギャップを持つAlGaInPからなる第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層とで挟んだダブルヘテロ構造を有し、前記第1導電型クラッド層および第2導電型クラッド層の両方またはいずれか一方が、前記活性層に近い側の低濃度ドーピング領域と、前記活性層に遠い側の高濃度ドーピング領域とを備えた半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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