特許
J-GLOBAL ID：200903002123146369

2層構造のソース/ドレーン電極を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法とこれを用いた能動型平板表示素子及びその製造方法

発明者：
蘇 宇永

蘇 宇永 について

, 
兪 庚辰

兪 庚辰 について

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朴 商一

朴 商一 について


出願人/特許権者：
三星エスディアイ株式会社

三星エスディアイ株式会社 について


代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-054843
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359375
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 高透過度で低抵抗の薄膜トランジスタ及びそれを使用した能動型平板表示素子及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 絶縁基板上に形成した半導体層の上部のゲート絶縁膜上にゲートを形成し、ゲート電極の側壁にスペーサを形成すると同時にその両側の半導体層を露出させ、露出された半導体層へ高濃度不純物をイオン注入して高濃度ソース/ドレーン領域を形成し、基板の全面に形成した金属膜と透明導電膜とをエッチングして高濃度ソース/ドレーン領域と直接接続する2層構造のソース/ドレーン電極を形成し、基板全面に保護膜を形成し、画素領域の保護膜と金属膜とをエッチングして開口部を通じて透明導電膜を露出させて画素電極を形成し、開口部内の金属電極が保護膜で覆うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に半導体層を形成する段階と、前記半導体層を含んだ基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記半導体層の上部の前記ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階と、前記半導体層へ高濃度不純物をイオン注入してゲートの両側の半導体層に高濃度ソース/ドレーン領域を形成する段階と、基板の全面に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜をエッチングして前記高濃度ソース/ドレーン領域を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールを含んだ前記層間絶縁膜上に透明導電膜と金属膜とを順次形成する段階と、前記金属膜と透明導電膜とをエッチングして、前記コンタクトホ-ルを通じて前記高濃度ソース/ドレーン領域とコンタクトされる2層構造のソース/ドレーン電極を形成する段階と、基板の全面に保護膜を形成する段階と、画素領域の前記保護膜と金属膜とをエッチングして前記開口部を通じて透明導電膜を露出させて画素電極を形成する段階と、前記開口部内の前記金属電極が保護膜により覆われるようにリフロー工程を遂行する段階とを含むことを特徴とする能動能動型平板表示素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 21/88 R
Fターム (82件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD26 ,  4M104DD82 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033KK25 ,  5F033KK26 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033VV15 ,  5F033XX10 ,  5F110AA03 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE32 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK40 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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