ビナフチル誘導体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307773
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122847
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】 2,2’-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1’-ビナフチル(BINAP)類を高純度でしかも効率よく製造する。【解決手段】 BINAP類の製造方法であって、下記の2工程を少なくとも含む製造方法。?@ ビナフトール類に、塩基存在下、炭素数2または3のパーフルオロアルキルスルホニルハライドまたはパーフルオロアルカンスルホン酸無水物を反応させて、ジパーフルオロアルキルスルホネート体を得る。?A ?@の工程で得られたジパーフルオロアルキルスルホネート体を(a)塩基およびニッケル触媒の存在下、ジフェニルホスフィン類と、または(b)亜鉛およびニッケル触媒の存在下、塩化ジフェニルホスフィン類と反応させる。

請求項（抜粋）：

一般式(1)【化1】[式中、 Aは【化2】Bは【化3】であり、AおよびBを示す両式中、Rはそれぞれ独立に水素、C1-12アルキル基、C1-12アルコキシ基、C1-12アシル基、C1-12アルコキシカルボニル基、-CN基、C1-12パーフルオロアルキル基、-OCF3基、ハロゲン原子(F、Cl、Br、I)、フェニル基、置換フェニル基(1〜3個の置換基を有し、それぞれの置換基は同一または異なっていてもよくハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基からなる群から任意に選ばれる)、-SiR'3 (R'は同一または異なっていてもよくアルキル基、分岐アルキル基、環状アルキル基、フェニル基、置換フェニル基からなる群から任意に選ばれる)を示し、R1はフェニル、4-メチルフェニル、3-メチルフェニル、2-メチルフェニル、3,5-ジメチルフェニル、3,5-ジ-tert-ブチルフェニル、4-メトキシフェニル、3-メトキシフェニル、2-メトキシフェニル、3,5-ジメトキシフェニル、2,5-ジメチル-4-メトキシフェニル、シクロヘキシル、シクロペンチル、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル、1-ナフチル、2-ナフチルおよび3,5-ジシリル置換フェニル(シリル基:SiR’3においてR'は同一または異なっていてもよくアルキル基、分岐アルキル基、環状アルキル基、フェニル基、置換フェニル基からなる群から任意に選ばれる)を示す]で示される化合物の製造方法であって、下記の2工程を少なくとも含む製造方法。?@ 一般式(2)【化4】[式中、A、Bは一般式(1)と同じ]で示される化合物を塩基存在下、パーフルオロアルキルスルホニルハライド(CnF2n+1SO2X、但し、nは2または3、ハロゲンはF、Cl、Br、Iよりなる群から任意に選ばれる)またはパーフルオロアルカンスルホン酸無水物((CnF2n+1SO2)2O、但し、nは2または3)と反応させて、一般式(3)【化5】[式中、A、Bは一般式(1)と同じ。nは2または3]で示される化合物を製造する工程。?A ?@の工程で得られた一般式(3)で示される化合物を(a)塩基およびニッケル触媒の存在下、一般式(4)【化6】[式中、R1は一般式(1)と同じ]で示されるホスフィン化合物と反応させるか、または(b)亜鉛とニッケル触媒存在下、一般式(5)【化7】[式中、R1は一般式(1)と同じ]で示されるホスフィン化合物と反応させて、一般式(1)で示される化合物を製造する工程。

IPC (5件)：

C07C309/65 , B01J 31/24 , B01J 31/26 , C07F 9/50 , C07B 61/00 300

FI (5件)：

C07C309/65 , B01J 31/24 X , B01J 31/26 X , C07F 9/50 , C07B 61/00 300

Fターム (13件)：

4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AB84 , 4H006AC61 , 4H006BA69 , 4H039CA80 , 4H039CD10 , 4H039CD20 , 4H039CD40 , 4H050BA07 , 4H050BA17 , 4H050BA69 , 4H050WA26

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