周辺ダイアモンド材料エッジ電子エミッタを採用する電界放射ディスプレイ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-332802
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211245
出願日： 1994年12月15日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】電子エネルギを光子エネルギに変換するエネルギ変換材料層111を含むフラット画像ディスプレイを提供する。【構成】電子エミッタ105は、エネルギ変換材料と電子エミッタ105との間で介在領域103,142が定められるように、エネルギ変換材料の層に対して設けられる。封入用バックプレーン106は、電子エミッタ105に対して離れて設けられ、かつエネルギ変換手段111と一般に反対の方向に設けられることにより、バックプレーン106と電子エミッタ105との間にプレナム120を定める。ゲッタ層109は、電子エミッタに当たるイオン性および分子性不純物の影響を緩和するためプレナム120内に設けられる。

請求項（抜粋）：

エッジ電子エミッタを備えたラミネート型電界放射デバイスであって:主面を有し、透明フェースプレート(101),カソードルミネセンス材料(111)および導電アノード(110)を含む実質的に光学的に透明なフェースプレート・アセンブリ;前記フェースプレートの前記主面上に設けられ、そこに定められた開口部を有し、該開口部はさらにスペース間領域を定めるスペース間絶縁層(102);電子エミッタ基板(140)であって、電子を放射する電子放射材料層(105)と、前記電子放射材料層に対して一般に上部を覆うように設けられた基板絶縁層(107)と、前記基板絶縁層上に設けられた導電ゲート層(108)と、を含み、前記電子エミッタ基板(140)は、そこに定められた少なくとも1つの開口部(142)を有し、前記電子エミッタ基板は、前記導電ゲート層(108)が前記導電アノード(110)と前記電子エミッタ層(105)との間ではさまれるように、前記スペース間絶縁層(102)上に設けられ、かつ前記電子エミッタ基板に定められた前記開口部(142)が、前記スペース間絶縁層(102)に定められた開口部(103)と実質的に周辺的に整合されるように設けられた電子エミッタ基板(140);および前記電子エミッタ基板(140)に対して離れて設けられたバックプレーン(106)であって、前記バックプレーンは、前記バックプレーン(106)と前記電子エミッタ基板(140)との間にプレナム領域(120)を定めるように形成され、前記プレナム領域(120)と、前記電子エミッタ基板に定められた開口部(142)と、前記スペース間絶縁層に定められた開口部(103)の真空時に、前記電子放射材料層によって放射される電子が前記スペース間領域の距離を移動して、前記カソードルミネセンス材料(111)から光子放射を励起するバックプレーン(106);によって構成されることを特徴とするラミネート型電界放射デバイス。

IPC (5件)：

H01J 29/46 , H01J 1/30 , H01J 29/94 , H01J 31/12 , H01J 31/15

引用特許：

審査官引用 (3件)

電界放出型電子放出源素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-347202 出願人：シャープ株式会社
特開平4-328222
特開平4-012434

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