特許

J-GLOBAL ID：200903002128555534

高周波数帯用高出力トランジスタ容器

発明者： 井上 壽明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014212
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206306
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 高周波数帯用高出力トランジスタ容器の歪特性を改善する。【構成】 素子、基板、チップコンデンサが接する容器内の台座をCuWで形成する。【効果】 CuWで形成された台座はセラミック製のインピーダンス整合回路基板との熱膨張率の差が小さいため、耐熱環境性が高くなり温度サイクル、熱ショック特性の良好な高周波数帯用高出力トランジスタ容器が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体素子、調整回路等をマウントする台座を熱膨張率がマウントする材料に近い材料で形成することを特徴とする高周波数帯用高出力トランジスタ容器。