特許
J-GLOBAL ID：200903002131012738
ヒートシンク基体、ヒートシンク、及びヒートシンクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
太田 明男
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000002600
公開番号（公開出願番号）：WO2000-063967
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2000年10月26日
要約：
【要約】本発明は、容易かつ安価に製造することができ、しかも、半導体から発生する熱を効率よく放出することができるヒートシンク基体、ヒートシンク、及び、ヒートシンクの製造方法を提供することを目的とする。このため、ヒートシンク基体11の半導体素子載置側面に半導体素子の形状に併せた凹凸面を一体的に有するヒートシンク10は、型板となる基板24の表面に凹部26を形成し、基板2Aの表面にヒートシンク基体材料層27を形成し、ヒートシンク基体材料層27から基板24を除去して表面に上記凹部26を転写した凸部23を有するヒートシンク基体11を形成し、ヒートシンク基体11の少なくとも凸部23を有する半導体素子載置側面に、金属膜17、保護層18及び電極層19からなるメタライズ層15、16を積層状態に形成し、ヒートシンク基体11の凸部23に、半導体素子12を接着するための接着層13、14を積層状態に形成することによって製造する。
請求項（抜粋）：
熱伝導率の高い材料からなるヒートシンク基体であって、該基体の半導体素子を載置する面が、載置される半導体素子の形状に対応して凹凸状に形成されていることを特徴とするヒートシンク基体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/36 Z
, H01L 23/36 M
