特許
J-GLOBAL ID:200903002132147645

放射ビームをパターニングする方法、放射ビームをパターニングするパターニングデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-120465
公開番号(公開出願番号):特開2007-311782
出願日: 2007年05月01日
公開日(公表日): 2007年11月29日
要約:
【課題】1つまたは複数のレンズエレメントの非対称熱変形による非対称収差の誘起を回避する。【解決手段】複数ダイマスクパターン120は、ダイ100が、互いに対向する配向で同じパターンを有する状態で配列される。ダイ100を配列する方法は、単一ダイ100のパターンを解析することであって、それによって、ダイ100の領域にわたって不均一に分布するパターン固有特性を識別する、解析することを含む。分布が非対称であることがわかった場合、それに関する非対称性が明らかである、ダイ領域を2つのハーフダイ領域D1、D2に分割する線が、画定される。同じパターン固有特性を有する異なるダイのハーフダイ領域D1、D2は、マスクパターンに一緒にグループ化される。マスク領域にわたるパターン固有特性の分布について得られる対称性の増強は、リソグラフィ加工性を高め、それにより、ダイ100の歩留まりを改善する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
パターニングデバイスを横切る放射ビームをパターニングする方法であって、 共通のダイパターンを有する2つのダイを含むパターンによって前記放射ビームをパターニングすることを含み、前記ダイパターンは、前記ダイパターンの対応する局所部分に局所値を有するパターン特性を有し、前記局所値は、 第1パターンを有する、軸の一方の側の第1ハーフダイ領域と、 第2パターンを有する、軸の他方の側の第2ハーフダイ領域と、 に前記ダイを分離する軸に関して、前記ダイの領域にわたって非対称分布を有し、 前記パターン特性は、前記第1パターンの一部に第1局所値を有し、 前記パターン特性は、前記第2パターンの一部に、前記第1局所値と異なる第2局所値を有しており、 前記それぞれの2つのダイの2つの直接隣接するハーフダイ領域のそれぞれの前記パターン特性の局所値が、前記第1局所値および前記第2局所値の一方であるように、前記2つのダイを配置すること、 を含む方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (4件):
H01L21/30 514C ,  H01L21/30 531E ,  H01L21/30 516E ,  G03F7/20 521
Fターム (4件):
5F046BA03 ,  5F046CB17 ,  5F046DA12 ,  5F046DA26
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る