特許

J-GLOBAL ID：200903002133756459

半導体装置

発明者： 目黒 怜 ,  丸山 泰男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035934
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233500
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 MISFETQのドレイン耐圧の低下を招くことなく、MISFETQの相互コンダクタン(gm)を高める。【解決手段】 フィールド絶縁膜6及びチャネルストッパ領域3Aで周囲を囲まれた半導体基体1の活性領域の主面に、低濃度オフセット領域9D及び高濃度コンタクト領域5Dからなるドレイン領域が設けられたMISFETQを有する半導体装置であって、前記MISFETQのゲート幅方向において、前記高濃度コンタクト領域5Dの端部を前記フィールド絶縁膜6に接触させ、前記フィールド絶縁膜6下のチャネルストッパ領域3Aを前記高濃度コンタクト領域5Dの端部から離隔させる。

請求項（抜粋）：

フィールド絶縁膜及びチャネルストッパ領域で周囲を囲まれた半導体基体の活性領域の主面に、低濃度オフセット領域及び高濃度コンタクト領域からなるドレイン領域が設けられたMISFETを有する半導体装置であって、前記MISFETのゲート幅方向において、前記高濃度コンタクト領域の端部が前記フィールド絶縁膜に接触され、このフィールド絶縁膜下のチャネルストッパ領域が前記高濃度コンタクト領域の端部から離隔されていることを特徴とする半導体装置。