特許
J-GLOBAL ID：200903002140749948
ヘテロバイポーラトランジスタとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121283
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291286
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)、特にSi /Si -Ge /Si 構造のHBTにおいて、加工時のSi -Ge 層の膜べり、結晶性の乱れ等を防ぎ、該層表面を外気に露出させることなく、難度の高い工程を用いず、自己整合でベースエミッタ構造を実現し、低ベース抵抗と少ない浮遊容量のより高速化したHBTとその製造方法を提供する。【構成】基板上に積層した第1(Si O2 )、第2(Si N)及び第3(Si O2 )絶縁膜からなる積層構造中に形成された開口内に、Si (コレクタ)、Si -Ge(ベース)、Si (エミッタ)の各層をそれぞれの側壁が前記開口に露出する第2絶縁膜に接するように埋め込み、次に熱燐酸で第2絶縁膜のみを選択除去した後、除去した空部にSi -Ge を埋め込み、ベース引き出し層を形成する。
請求項（抜粋）：
基板主面上に形成された第1半導体材料からなる一導電型第1単結晶半導体層と、第1単結晶半導体層上に形成された第2半導体材料からなる反対導電型第2単結晶半導体層と、第2単結晶半導体層上に形成された第1半導体材料からなる一導電型第3単結晶半導体層と、第1、第2、第3単結晶半導体層の側壁に接して形成された反対導電型第4単結晶半導体層とを具備することを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
