特許
J-GLOBAL ID：200903002145938900

多接合型薄膜太陽電池及びその製造方法

発明者：
山本 浩史

山本 浩史 について

, 
和田 健司

和田 健司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394695
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280590
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 十分な光閉込効果を有しつつ、欠陥密度を低減させた結晶質半導体層を有する高効率な多接合型薄膜太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に、少なくとも第1透明導電層、非晶質又は結晶質シリコン光電変換層、第2透明導電層及び結晶質シリコン光電変換層がこの順に積層されて構成され、前記第1透明導電層の非晶質シリコン光電変換層側の表面が、その表面に凹凸を有する複数の穴が形成され、かつ前記第2透明導電層の結晶質シリコン光電変換層側の表面が、その表面に凹凸を有する複数の穴が形成されている多接合型薄膜太陽電池。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも第1透明導電層、非晶質又は結晶質光電変換層、第2透明導電層及び結晶質光電変換層がこの順に積層され、前記第1透明導電層の非晶質又は結晶質光電変換層側の表面及び前記第2透明導電層の結晶質光電変換層側の表面に、それぞれ、複数の穴が形成されており、該穴の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 M
Fターム (11件)：
5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA16 ,  5F051CB15 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051DA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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