特許
J-GLOBAL ID:200903002146779555

半導体発光素子およびモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-260863
公開番号(公開出願番号):特開2004-103677
出願日: 2002年09月06日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】主たる層構成部分を比較的優れた放熱性を有する材料で構成しながら、高出力動作時の非常に高い光密度を緩和し、かつ、高出力動作時の非常に高い電流注入密度の低減をも実現する半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に、AlxnGa1-xnAs(0 請求項(抜粋):
少なくとも、第一導電型を示す基板、第一導電型を示すAlxnGa1-xnAs(0 IPC (4件):
H01S5/323 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/343
FI (4件):
H01S5/323 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 610 ,  H01S5/343
Fターム (14件):
2H037BA02 ,  2H037CA08 ,  5F073AA07 ,  5F073AA45 ,  5F073AA46 ,  5F073AA51 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CB09 ,  5F073EA11 ,  5F073EA28 ,  5F073FA08

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