特許
J-GLOBAL ID：200903002146779555
半導体発光素子およびモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260863
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103677
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】主たる層構成部分を比較的優れた放熱性を有する材料で構成しながら、高出力動作時の非常に高い光密度を緩和し、かつ、高出力動作時の非常に高い電流注入密度の低減をも実現する半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に、AlxnGa1-xnAs(0<xn<0.40)第一導電型第一クラッド層(厚みtxn)、AlsnGa1-snAs(0<sn≦1)第一導電型第二クラッド層(厚みtsn)、AlgnGa1-gnAs(0≦gn<0.40)第一光ガイド層(厚みtgn)、活性層構造、AlgpGa1-gpAs(0≦gp<0.40)第二光ガイド層(厚みtgp)、AlspGa1-spAs(0<sp≦1)第二導電型第二クラッド層(厚みtsp)、AlxpGa1-xpAs(0<xp<0.40)第二導電型第一クラッド層(厚みtxp)を有し、gn<xn<sn;gp<xp<sp;0.08<sn-xn;0.08<sp-xp;tsn/tgn<1.0;tsp/tgp<1.0を満たす半導体発光素子。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、第一導電型を示す基板、第一導電型を示すAlxnGa1-xnAs(0<xn<0.40)からなる厚みtxn(nm)の第一クラッド層、第一導電型を示すAlsnGa1-snAs(0<sn≦1)からなる厚みtsn(nm)の第二クラッド層、AlgnGa1-gnAs(0≦gn<0.40)からなる厚みtgn(nm)の第一光ガイド層、In、GaおよびAsを含み基板に格子整合しない歪み量子井戸層を含む活性層構造、AlgpGa1-gpAs(0≦gp<0.40)からなる厚みtgp(nm)の第二光ガイド層、第二導電型を示すAlspGa1-spAs(0<sp≦1)からなる厚みtsp(nm)の第二クラッド層、第二導電型を示すAlxpGa1-xpAs(0<xp<0.40)からなる厚みtxp(nm)の第一クラッド層を有する半導体発光素子において、以下の式を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01S5/323
, G02B6/42
, H01S5/026
, H01S5/343
H01S5/323
, G02B6/42
, H01S5/026 610
, H01S5/343
2H037BA02
, 2H037CA08
, 5F073AA07
, 5F073AA45
, 5F073AA46
, 5F073AA51
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073CB09
, 5F073EA11
, 5F073EA28
, 5F073FA08
