特許
J-GLOBAL ID:200903002147631020
堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
若林 忠 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-223028
公開番号(公開出願番号):特開2000-054146
出願日: 1998年08月06日
公開日(公表日): 2000年02月22日
要約:
【要約】【課題】 堆積される膜質が大幅に改善され、膜特性の優れた堆積膜を均一に再現性よく形成し、歩留りを飛躍的に向上させて量産を行うことのできる堆積膜、特に機能性堆積膜の堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】 高周波プラズマCVD法による堆積膜形成において、高周波電力導入手段より周波数が50〜450MHzの高周波電力を導入し、高周波電力導入手段は、表面に堆積すべき円筒状基体の軸方向にほぼ平行に配置した棒状電極を使用し、近設した原料ガス導入管から棒状電極方向に向けて原料ガスを供給しながら堆積膜形成を行うことを特徴とする。
請求項(抜粋):
真空気密可能な反応容器と、該反応容器内に基体ホルダーにより保持された円筒状基体と、該円筒状基体の軸方向にほぼ平行に設けられた原料ガス導入管と、該反応容器内に周波数が50〜450MHzの高周波電力を導入することにより該反応容器内にグロー放電を生起する高周波電力導入手段とからなる堆積膜形成装置を用い、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記高周波電力導入手段は、前記円筒状基体の軸方向にほぼ平行に配置した棒状電極を使用し、前記原料ガス導入管から近設した該棒状電極方向に向けて原料ガスを供給しながら堆積膜形成を行うことを特徴とする堆積膜形成方法。
IPC (3件):
C23C 16/50
, C23C 14/24
, G03G 5/082
FI (4件):
C23C 16/50
, C23C 14/24 S
, C23C 14/24 T
, G03G 5/082
Fターム (22件):
2H068DA23
, 2H068EA25
, 2H068EA30
, 4K029AA27
, 4K029BA35
, 4K029BB10
, 4K029BD08
, 4K029CA00
, 4K029DA05
, 4K029DA06
, 4K030AA06
, 4K030AA10
, 4K030AA17
, 4K030BA30
, 4K030CA02
, 4K030CA16
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA03
, 4K030JA18
, 4K030KA15
, 4K030LA17
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