特許

J-GLOBAL ID：200903002149805654

プラズマ処理装置

発明者： 宮本 高志 ,  武石 浩司 ,  鈴木 端生
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-010777
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173853
出願日： 2007年01月19日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】処理速度の低下やパーティクルの形成に確実且つ容易に対処できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ10を介さずにクリーニングガスを排出できるバイパスライン50を設けることにより、チャンバなどの汚染を防ぎつつ効率的なクリーニングが可能となる。また、放電管22に加熱手段を付加することにより、反応生成物を加熱・蒸発させて迅速に除去できる。また、輸送管30の内壁に、フッ化アルミニウムなどの反応生成物を予め被覆しておくことにより、経時的なプラズマ処理速度の変動を抑えることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放電管と電磁波導入手段とを有し、前記放電管の中に導入されたガスに電磁波を作用させてプラズマを生成するプラズマ発生室と、 被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理チャンバと、 前記プラズマ発生室と前記処理チャンバとを接続する輸送管と、 前記放電管を加熱する加熱手段と、 前記被処理物を処理するためのプロセスガスを前記プラズマ発生室に導入する第1のガス導入手段と、 クリーニングガスを前記プラズマ発生室に導入する第2のガス導入手段と、 を備え、 前記チャンバ内を大気圧よりも減圧しつつ、前記放電管の内部において前記プラズマを生成することにより分解したガスを前記チャンバ内に導入することにより前記被処理物を処理可能としたプラズマ処理装置であって、 前記加熱手段により前記放電管を加熱することにより前記放電管の内壁に堆積した反応生成物を除去可能としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L21/302 101D ,  H05H1/46 B

Fターム (9件)：

5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004BB18 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26