特許
J-GLOBAL ID:200903002150138009

キャパシタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大垣 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-007963
公開番号(公開出願番号):特開平6-216316
出願日: 1993年01月20日
公開日(公表日): 1994年08月05日
要約:
【要約】【目的】 半導体集積回路のキャパシタの作製を終了した後でも、キャパシタのキャパシタンス調整を容易に行なえるようにする。【構成】 所定領域Qの下地28上に順次に金属層30、絶縁膜32及び金属層34を重ね合わせて設け、これら重ね合わせた金属層30、絶縁膜32及び金属層34によりキャパシタ26を構成する。下地24は図示せずも基板と基板に設けた集積回路要素とを備えて成る集積回路形成用の下地である。そして領域Qの金属層34に領域Qの絶縁膜32に通じる開口部3638 を設ける。金属層3034 の間に挟まれる絶縁膜32を開口部36及び又は38を介してサイドエッチングすることにより、キャパシタ26のキャパシタンスを調整できるので、目的を達成できる。
請求項(抜粋):
キャパシタ配設領域の電気回路形成用下地上に、順次に、第一金属層、絶縁膜及び第二金属層を重ね合わせて成るキャパシタにおいて、キャパシタ配設領域の第二金属層に、キャパシタ配設領域の絶縁膜に通じる開口部を設けて成ることを特徴とするキャパシタ。

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