特許
J-GLOBAL ID：200903002150676078
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245927
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090399
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板上に形成された相異なる幅を有す少なくとも2種類の溝内に酸化膜を十分に埋め込む方法を提供すること及びその製造プロセスを簡単化することを目的とする。【構成】 シリコン基板(11)上の表面にあらかじめシリコン酸化膜(12)を形成した後に、該シリコン基板(11)の表面に相異なる幅を有する2種類の溝(14A)(14B)を形成し、その後有機珪素-オゾン系の常圧CVD法によって、該溝(14A)(14B)内に酸化膜(15)を選択的に埋め込む。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の表面上に親水性膜を形成する工程と、前記シリコン基板の表面に相異なる幅を有する少なくとも2種類の溝を形成する工程と、有機珪素とオゾンとの反応を用いて前記溝内に酸化膜を選択的に埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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