特許

J-GLOBAL ID：200903002155028090

半導体装置およびその製造方法

発明者： 新居 圭太
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058134
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259452
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【構成】トレンチ21に挟まれた半導体基板20の凸部22に、トレンチ21の長さ方向に沿って、ソース領域24、チャネル領域23およびドレイン領域25を隣接して形成し、この凸部22の側壁に、ソース領域24とドレイン領域25とを橋架するよう、ゲート絶縁膜30を形成し、ゲート絶縁膜30を介してチャネル領域23と接続するよう、ゲート電極取出部31を形成している。【効果】1つのトランジスタに対して複数のゲート電極を設けることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、所定間隔をもってトレンチが列状に形成され、上記トレンチに挟まれた半導体基板の凸部に、トレンチの長さ方向に沿って、ソース領域、チャネル領域およびドレイン領域が隣接して形成され、上記凸部の側壁に、ソース領域とドレイン領域とを橋架するよう、ゲート絶縁膜が形成され、上記ゲート絶縁膜を介してチャネル領域と接続するよう、ゲート電極取出部が形成されていることを特徴とする半導体装置。