特許
J-GLOBAL ID:200903002157575315

ドライエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高月 亨
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-255787
公開番号(公開出願番号):特開平6-084842
出願日: 1992年08月31日
公開日(公表日): 1994年03月25日
要約:
【要約】【目的】 金属系材料を含む被エッチング材を、臭素系ガスを用いてエッチングする場合に、エッチングにより形成されたパターンの側壁に生成する付着物を容易に除去するドライエッチング方法を提供する。【構成】 Alを含む材料等の金属系材料10のドライエッチングにおいて、臭素原子を構成原子として含有するガス(HBr、BBr3 、CBr4 、Br2 等)を少なくとも含むガス中にてエッチングを行った後、塩素原子を構成原子として含有するガス(HCl、Cl2 、BCl3 、CCl4 等)を少なくとも含むガス中にてエッチングを行うドライエッチング方法。
請求項(抜粋):
金属系材料のドライエッチングにおいて、臭素原子を構成原子として含有するガスを少なくとも含むガス中にてエッチングを行った後、塩素原子を構成原子として含有するガスを少なくとも含むガス中にてエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開昭53-022836
  • 特開平4-148534
  • 特開平4-171726
審査官引用 (3件)
  • 特開昭53-022836
  • 特開平4-148534
  • 特開平4-171726

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