特許

J-GLOBAL ID：200903002158156871

センサ素子の製造方法

発明者： 鹿嶋 孝文 ,  中村 克明 ,  石橋 功成 ,  平川 一美
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-207402
公開番号（公開出願番号）：特開平5-026836
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】【目的】 常温又は比較的低温で作動可能な酸素センサとして有用なCuFeTe2等の層状物質を使用したセンサ素子を高生産性で製造する方法を提供し、その大量生産を可能とすることを目的とする。【構成】 絶縁性フィルム11の上に層状物質12と電極物質13とを交互にパターン形成する。そして、碁盤目状にフィルム11を切断することにより、1連の工程でセンサ素子チップを大量に製造することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性フィルム上に、酸素のインターカレーション及びデインターカレーション特性を有する層状物質を設け、この層状物質を挟む位置の前記絶縁性フィルム上に電極物質を設け、その後、前記基板を機械的に切断して各素子に分割することを特徴とするセンサ素子の製造方法。