プラズマ処理装置および処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289148
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110784
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】半導体製造における絶縁膜加工において、微細加工形状、特にボーイングの少ない垂直加工形状が得られるエッチング方法を提供する。【解決手段】エッチング初期に過剰になるO、FもしくはNラジカル入射量をガス流量もしくはO、FおよびNを内壁面での消費量をエッチング時間とともに制御し、過剰なO、FおよびNを抑制する。さらに、安定したエッチング形状が得られるようにエッチング中のプラズマ計測結果を基に、上記流量もしくは消費量を制御する。【効果】エッチング速度および選択性を維持して、絶縁膜のホールおよび有機膜の加工においてボーイングが低減できるため、より微細な半導体デバイス製造が容易になる。

請求項（抜粋）：

真空排気手段により真空状態に保持される処理室において、前記処理室に設けられたガス導入手段によりガスを前記処理室に導入し、前記導入ガスを前記処理室内でプラズマ化する手段によって前記導入ガスをプラズマ化し、前記プラズマに被処理物に接触もしくは非接触の状態になるように前記被処理物を前記処理室内に設置することにより、前記被処理物を処理するプラズマ処理装置において、処理時間とともにプラズマ中のラジカル量を変化させることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/768 , H05H 1/46

FI (6件)：

C23F 4/00 E , C23F 4/00 Z , H05H 1/46 L , H05H 1/46 A , H01L 21/302 B , H01L 21/90 A

Fターム (50件)：

4K057DA11 , 4K057DA12 , 4K057DA13 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD08 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DG07 , 4K057DG12 , 4K057DG15 , 4K057DN01 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB29 , 5F004BC03 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004CA08 , 5F004CB02 , 5F004CB04 , 5F004CB10 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA18 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004EA22 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033SS11 , 5F033TT04 , 5F033WW01 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033WW10 , 5F033XX00

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