特許

J-GLOBAL ID：200903002166305940

半導体受光素子

発明者： 経塚 信也 ,  中村 毅 ,  山田 高幸 ,  宮本 育昌
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-343313
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186358
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】半導体受光素子において、低電圧駆動を可能としながらも高感度化及び低雑音化を図り、特に可視光に対して高感度、低雑音とする。【課題手段】少なくとも一方が透明な2つの電極間に、非単結晶性材料で構成され光を吸収しフォトキャリアを発生する光吸収層と、非単結晶性材料で構成され前記光吸収層で発生したフォトキャリアを増倍するキャリア増倍層と、を有する半導体受光素子であって、前記キャリア増倍層は、非単結晶性のZnxCd1-xM(0≦x≦1、MはS,Se及びTeから選ばれた1つ)から成り、前記ZnxCd1-x Mのxの値を変化させた組成比が異なる複数の層を有する膜を積層して成る多層膜で構成することにより、禁制帯幅Egに対して伝導帯のバンド不連続量ΔEcを大きくすることができ、電子によるイオン化率を大きくし、イオン化の生じる場所を特定して高感度化及び低雑音化を図り、低電圧駆動を可能とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも一方が透明な2つの電極間に、非単結晶性材料で構成され光を吸収しフォトキャリアを発生する光吸収層と、非単結晶性材料で構成され前記光吸収層で発生したフォトキャリアを増倍するキャリア増倍層と、を有する半導体受光素子であって、前記キャリア増倍層は、非単結晶性のZnxCd1-xM(0≦x≦1、MはS,Se及びTeから選ばれた1つ)から成り、前記ZnxCd1-xMのxの値を変化させた組成比が異なる複数の層を有する膜を、積層して成る多層膜で構成されたことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/107 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 31/10 B ,  H01L 27/14 C