特許

J-GLOBAL ID：200903002170546448

ECRプラズマ処理装置

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306666
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121362
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 ECRプラズマ処理装置において、半導体ウェハ表面に付着するパーティクルを減らす。【構成】 ECRプラズマ反応室の少なくとも上記基板の表面上のプラズマ化学反応の生じる部分の近傍に、表面に凹凸がある防着部を設ける。

請求項（抜粋）：

ECRプラズマ発生室と、プラズマ化学反応により基板表面に膜を形成しあるいはエッチングするECRプラズマ反応室からなるECRプラズマ処理装置において、上記ECRプラズマ反応室の少なくとも上記基板の表面上のプラズマ化学反応の生じる部分の近傍に、表面に凹凸がある防着部を設けてなることを特徴とするECRプラズマ処理装置

IPC (8件)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-202535
  
• 特開平3-122292
  
• 特開平1-231322
  
• 特開平2-065129