特許

J-GLOBAL ID：200903002174219816

半導体レーザ装置

発明者： 八木 克己
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104646
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299765
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 圧縮歪をもつInyGa1-yAs量子井戸半導体レーザ装置の単一モードでの高光出力化を実現することを目的とする。【構成】 GaAs基板1上に、圧縮歪をもつInyGa1-yAsを量子井戸層6とする歪量子井戸構造の活性層8の近傍に、光出力側端面領域A,Cを除いて歪緩和層9を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。

請求項（抜粋）：

GaAs基板と、該基板上に形成した圧縮歪をもつInyGa1-yAsを量子井戸層とする歪量子井戸構造の活性層と、からなる半導体レーザ装置において、光出力側端面領域を除く内部領域にある前記活性層の近傍に歪緩和層を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。