特許

J-GLOBAL ID：200903002175153550

プロセスシミュレーションパラメータの最適条件決定方法及び最適条件支援装置

発明者： 西田 真恵
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-185123
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093674
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体プロセスシミュレーション精度向上について合理的且つ確度の高いシミュレーションパラメータの最適条件決定方法と、かかるシミュレーションパラメータの最適条件を決定するための最適条件支援装置を提供する。【解決手段】 半導体プロセスシミュレーションの、半導体内部における物理現象をモデル化している多量のシミュレーションパラメータを調整・制御項目(制御因子及び水準)とし、該制御因子についての情報データについての統計処理を行うことで、SN比と水準別SN比平均値、及び感度と水準別感度平均値を求め、水準別SN比平均値が最大となるときの水準を前記制御因子毎に調べて、その制御因子及び水準の組み合わせを制御因子としたシミュレーションパラメータの最適条件とすることとした。

請求項（抜粋）：

半導体プロセスシミュレーションの、半導体内部における物理現象をモデル化しているプロセスシミュレーションパラメータの最適条件決定方法において、半導体製造プロセスに関連した前記プロセスシミュレーションパラメータを制御因子とし、前記各制御因子毎に、所定水準数の水準に対応する前記プロセスシミュレーションパラメータの値、モデル式を設定し、前記制御因子について相互に異なった水準組合わせを有する複数の前記プロセスシミュレーションパラメータを適用し、複数半導体製造プロセスに対するシミュレーション実行のための実験計画を作成し、前記実験計画に基づきプロセスシミュレーションを行うことによりシミュレーション結果を得て、前記複数半導体製造プロセスの実際の特性を予め決められた信号因子に対応付け、前記各信号因子である複数の実際の特性のデータ及び、前記複数半導体製造プロセス情報に基づいて、制御因子毎のSN比と水準別SN比平均値を求め、前記水準別SN比平均値が最大となるときの水準を前記制御因子毎に調べると共に、その水準に対応する前記プロセスシミュレーションパラメータの条件を該制御因子毎のプロセスシミュレーションパラメータの最適値と決定することを特徴とするプロセスシミュレーションパラメータの最適条件決定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/00 ,  G06F 17/18 ,  G06F 19/00 110

FI (4件)：

H01L 21/00 ,  G06F 17/18 A ,  G06F 17/18 Z ,  G06F 19/00 110

Fターム (3件)：

5B056BB62 ,  5B056CC01 ,  5B056EE00