特許

J-GLOBAL ID：200903002175929531

半導体記憶装置

発明者： 高野 洋 ,  小林 靖弘 ,  児島 則章 ,  梶谷 雅典 ,  吉川 定男
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225170
公開番号（公開出願番号）：特開平10-302486
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】読み出し特性に優れた半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】メモリセル101に対して複数の書き込み状態を設定して多値のデータを記憶させるフラッシュEEPROMにおいて、メモリセル101と同一寸法形状の参照用セル3と、メモリセル101からのデータ読み出し時に、メモリセル101に流れる電流値に相当する信号と参照用セル3に流れる電流値に相当する信号とを比較し、比較結果を出力する比較装置6とを備えた。比較装置6は、それぞれ異なる判定しきい値を持つ複数の差動アンプ7〜13によって構成されている。そして、出力デコーダ19は、各差動アンプ7〜13からの出力をデコードし、データ値を判別する。

請求項（抜粋）：

メモリセルと、このメモリセルと同一寸法形状の参照用セルと、前記メモリセルからのデータ読み出し時に、前記メモリセルに流れる電流値に相当する信号と前記参照用セルに流れる電流値に相当する信号とを比較し、比較結果を出力する比較装置とを具備したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 634 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特表平4-507320
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-077291   出願人：株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社
• 特表平4-507320