特許
J-GLOBAL ID：200903002176782488
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197421
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045874
出願日： 1994年07月30日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】本発明は、Alアロイスパイクの発生が抑制され、微細化が可能になると共に、ショットキーバリアダイオードの低い順方向電圧が得られるようにした、半導体装置を提供することを目的とする。【構成】表面に酸化膜19が形成された半導体基板12上に関して、酸化膜に窓部を形成して、該窓部にて酸化膜の下方の半導体層17a,15,16,14’,18を露出させ、該窓部の上に金属層20を形成することにより、取出し電極20a,20b,20c,20eまたは配線パターンを構成すると共に、該金属層20dと半導体層14’との間に整流性接合Cを構成するようにした、半導体装置において、上記金属層が、シリコン含有率1%以下のAl-Si層から成るように、半導体装置を構成する。
請求項１：
表面に酸化膜が形成された半導体基板上に関して、酸化膜に窓部を形成して、該窓部にて酸化膜の下方の半導体層を露出させ、該窓部の上に金属層を形成することにより、取出し電極または配線パターンを構成するようにした、半導体装置において、上記金属層が、シリコン含有率1%以下のAl-Si層から構成されていることを特徴とする、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 29/872
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 21/88 N
, H01L 29/48 S
, H01L 29/72
