半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-139320
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206565
出願日： 1991年06月12日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 Si基板上にMOVPE法及びMBE成長法により、狭いストライプ領域に選択的に半導体レーザを形成し、結晶欠陥の発生を軽減できると共に、ドーパントの極性を面方位によりコントロールして電流の閉じ込める構造を持ち、同時に各原子のマイグレーションの面方位依存性の差により、光の閉じ込め構造を持つ信頼性の高い、長寿命の導体レーザ素子を得る。【構成】 (111)側面を有する順メサストライプ上に、(111)B面、(111)A面と(100)面を有するn型GaAsを選択成長して、格子不整合により生じる結晶欠陥を低減したn-Si基板1上に、MBE法により量子井戸を活性層6とするダブルヘテロ構造を形成し、MBE成長法による原子のマイグレーションの面方位による違いと、Siドーパンの導電性の面方位依存性により、屈折率導波機構と電流狭窄機構とを持つ半導体レーザ素子を上記のストライプ上にのみ作り付ける。

請求項（抜粋）：

(111)側面を持つ順メサストライプを構成したSi(100)基板上への有機金属気相成長法による成長速度の面方位依存性を利用したストライプ上へのみの選択成長膜を基板として、分子線エピタキシャル成長法により両極性ドーパントの極性を制御することによって電流閉じ込めのための逆バイアス構造を有するとともに、各原子のマイグレーションの面方位依存性の差により光の閉じ込め構造をストライプ上にのみ形成して成る半導体レーザ素子。

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