特許

J-GLOBAL ID：200903002180375110

半導体装置の製造方法

発明者： ヨハン フイリツペ ウイリアム ドウチヤテアウ ,  アレツク ハロルド リーダー ,  ゲリツト ヤン フアン デア コルク
出願人/特許権者： エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
代理人 (1件)： 沢田 雅男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069645
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094966
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 シリコン領域3、4、5、6と絶縁材料の領域8、9とにより仕切られた半導体基体の表面にコバルトCoまたはニッケルNiを含有する層12を被着し、次いで該半導体基体を加熱し前記コバルトCoまたはニッケルNiが前記シリコン3、4、5、6とメタルシリサイドを形成する。コバルトCoまたはニッケルNiを含有する層として、チタンTi、ジルコニウムZr、タンタルTa、モリブデンMo、ニオブNb、ハフニウムHf及びタングステンW よりなる群より選択された金属との非晶質合金(amorphous alloy) の層を前記表面に被着し、前記非晶質合金(amorphous alloy) の層が加熱処理中に非晶質の状態で残存するような加熱処理温度に調整する。【効果】 コバルトCoまたはニッケルNiはシリコン領域3、4、5及び6とのみメタルシリサイド10、20、30及び40を形成するが、直接隣接する絶縁材料8又は9とはメタルシリサイドを形成しない、即ち、自己整合法(a self-aligned manner) によりメタルシリサイドを形成することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン領域と絶縁材料の領域とにより仕切られた半導体基体の表面にコバルト(Co)またはニッケル(Ni)からなる層を被着し、次いで該半導体基体を加熱し前記コバルトまたはニッケルが前記シリコンとメタルシリサイドを形成するが、前記絶縁材料とはメタルシリサイドを形成しない温度で加熱処理を行なう半導体装置の製造方法において、コバルト(Co)またはニッケル(Ni)を含有する層として、コバルトまたはニッケル金属とチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)及びタングステン(W) よりなる群より選択された金属との非晶質合金(amorphous alloy) の層を前記表面に被着し、前記非晶質合金(amorphous alloy) の層が加熱処理中に非晶質の状態で残存するような加熱処理温度に調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/784