不揮発性抵抗可変装置の形成方法及びメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-523032
公開番号（公開出願番号）：特表2005-501426
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

基板上に第1導電性電極材料を設ける。この第1導電性電極材料上にカルコゲニド含有材料を形成する。このカルコゲニド含有材料はAx Sey を含むようにする。このカルコゲニド含有材料上に銀含有層を形成する。この銀含有層を照射して、銀含有層とカルコゲニド含有材料との界面におけるカルコゲニド材料のカルコゲニド結合を破断させ、少なくとも少量の銀をこのカルコゲニド含有材料中に拡散させる。銀含有層を照射した後に、カルコゲニド含有材料の外側面をヨウ素含有流体にさらし、カルコゲニド含有材料の外側面の凹凸をヨウ素含有流体にさらす前の状態から低減させる。このヨウ素含有流体にさらす処理を行った後に、カルコゲニド含有材料上に第2導電性電極材料を堆積させる。この第2導電性電極材料は連続的なものとして少なくともカルコゲニド含有材料を完全に被覆するようにし、この第2導電性電極材料を成形して装置の電極にする。

請求項（抜粋）：

基板上に第1導電性電極材料を形成する工程と、この第1導電性電極材料上に、Ax Sey を含むカルコゲニド含有材料であって、「A」が周期律表の第13族、第14族、第15族又は第17族から選択した少なくとも1種の元素を有するカルコゲニド含有材料を形成する工程と、このカルコゲニド含有材料上に銀含有層を形成する工程と、この銀含有層を照射して、銀含有層とカルコゲニド含有材料との界面におけるカルコゲニド含有材料のカルコゲニド結合を破断させ、少なくとも少量の銀を前記カルコゲニド含有材料中に拡散させ、カルコゲニド含有材料の外側面を形成する工程と、銀含有層を照射した後に、前記カルコゲニド含有材料の外側面をヨウ素含有流体にさらし、このカルコゲニド含有材料の外側面の粗さをヨウ素含有流体にさらす前の状態から低減させる工程と、このヨウ素含有流体にさらす処理を行った後に、前記カルコゲニド含有材料上に第2導電性電極材料を堆積し、この第2導電性電極材料は連続層とするとともに少なくとも前記カルコゲニド含有材料を完全に被覆するようにし、且つこの第2導電性電極材料を成形して装置の電極にする工程とを有する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。

IPC (3件)：

H01L27/10 , H01L21/28 , H01L45/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 , H01L21/28 A , H01L45/00 A

Fターム (30件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD21 , 4M104DD26 , 4M104DD33 , 4M104DD88 , 4M104DD91 , 4M104GG01 , 4M104GG16 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR40

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