特許
J-GLOBAL ID：200903002204478714
巨大磁気抵抗材料及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022240
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、大きなGMR比を有する巨大磁気抵抗(GMR)材料を作製すると共に、任意の絶縁体材料に任意の元素を、特定の深さに、特定の量を制御して、しかも任意の形状の基板に注入することを可能にして、より特性の優れたGMR素子を開 発することを目的としている。【解決手段】本発明は、絶縁体材料から成る基板中に、イオン注入装置を使用し、磁性原子イオンを注入することにより巨大磁気抵抗(GMR)材料を作 製する。本発明は、薄膜の構造・磁気特性を制御する上で、イオンビームの持つイオン電流量、イオンエネルギー等の高い制御・操作性が生かせることができる。
請求項（抜粋）：
イオン注入装置により磁性原子イオンを絶縁体材料からなる基板内に注入し、基板内にイオン注入層を層状に形成すると共に、磁性原子イオンをイオン注入層内で分散させて微粒子状態として存在させた巨大磁気抵抗材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
