特許

J-GLOBAL ID：200903002207720044

新規なシリコンカーバイドダミーウエハー

発明者： ウィルケンズ,クレイグ エー. ,  アースノールト,ノーマンド ピー.
出願人/特許権者： サン-ゴバン/ノートン インダストリアル セラミックス コーポレイション
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-526441
公開番号（公開出願番号）：特表2000-513689
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
要約：

【要約】本発明は、実質的に再結晶したシリコンカーバイドからなる浸珪処理していない、或いは浸珪処理したウエハーに関するもので、このウエハーは、少なくとも150mmの直径と、0.5と2mmの間の厚みを有し、かつ15v/oと43v/oの間の気孔率或いは遊離シリコン量を有する。

請求項（抜粋）：

少なくとも150mmの直径および0.5と2mmの間の厚さを有し、かつ15v/oと43v/oの間の気孔率を有することを特徴とする再結晶したシリコンカーバイドから実質的になる浸珪処理されていないウエハー。

IPC (3件)：

C04B 35/565 ,  C04B 38/00 303 ,  C04B 41/87

FI (3件)：

C04B 35/56 101 N ,  C04B 38/00 303 Z ,  C04B 41/87 G