特許
J-GLOBAL ID：200903002209416350
半導体装置および電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-063180
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270857
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】本願発明は逆回復時のリカバリー電流による素子破壊を防ぎ、かつ順方向電圧を低減した安価なダイオードを提供することを目的とする。また、前記ダイオードを用いた電力変換装置を提供することを目的とする。【解決手段】P+アノード拡散層端部17付近に同心円状に一つ以上のP+拡散層9を形成している。P+アノード拡散層端部17に最も隣接するP+拡散層9は、P+アノード拡散層端部17と一部重複する領域を有しており、隣り合うP+拡散層9同士はその端部同士が一部重複している。前記P+アノード拡散層3とP+拡散層9との重複領域および前記P+拡散層9同士の重複領域は不純物の拡散割合が小さく、P+アノード拡散層3及びP+拡散層9よりも不純物濃度が低くなっている。当該部分は図2に示すように高抵抗分離領域11を形成している。
請求項（抜粋）：
第一導電型の第一の半導体層と、前記第一の半導体層と電気的に接続した第一の電極と、前記第一の半導体層内に形成された第二導電型の第二の半導体層と、前記第二の半導体層の端部を除く表面上に形成された第二の電極と、前記第二の半導体層の端部周辺に形成された少なくとも一つ以上からなる第二導電型の拡散層と、を具備し、前記第二の半導体層と前記隣接する前記拡散層、及び隣り合う前記拡散層は一部重複した領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/861
, H01L 21/329
H01L 29/91 J
, H01L 29/91 B
, H01L 29/91 D
