特許
J-GLOBAL ID：200903002213596312
シリコン単結晶インゴットの加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-257529
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075924
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 成長させたままのシリコン単結晶インゴットを、その重量を可能な限りロスすることなく、また加工による不純物汚染を受けることなく、ウエーハ状にスライスするための原料単結晶インゴットを加工する方法を提供する。【解決手段】 成長させたままのシリコン単結晶インゴットからウエーハをスライスする加工方法において、ウエーハのスライスに先立ち、前記単結晶インゴット10の側面を研削加工する際に、少なくともインゴットに現れる晶癖線31のみを研削除去する工程を行う。
請求項（抜粋）：
成長させたままのシリコン単結晶インゴットからウエーハをスライスする加工方法において、ウエーハのスライスに先立ち、前記単結晶インゴットの側面を研削加工する際に、少なくともインゴットに現れる晶癖線のみを研削除去する工程を行うことを特徴とするシリコン単結晶インゴットの加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 611
, B24B 5/36
H01L 21/304 611 B
, B24B 5/36
