特許
J-GLOBAL ID：200903002214881827
磁気トンネル接合素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220587
公開番号（公開出願番号）：特開2000-057525
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 大きな磁気抵抗変化率を得ることができるとともに、抵抗値の小さい磁気トンネル接合素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の磁性層2と第2の磁性層4との間に介在されるトンネル障壁層3を、その厚み方向に酸化度が異なるように酸化された金属膜より構成する。
請求項（抜粋）：
第1の磁性層と第2の磁性層とがトンネル障壁層を介して積層されてなり、上記トンネル障壁層を流れるトンネル電流のコンダクタンスが上記第1の磁性層と第2の磁性層の磁化の相対角度に依存する磁気トンネル接合素子であって、上記トンネル電流のコンダクタンスが4端子法により検出される磁気トンネル接合素子において、上記トンネル障壁層が、その厚み方向に酸化度が異なるように酸化された金属膜よりなることを特徴とする磁気トンネル接合素子。
Fターム (3件)：
5D034BA02
, 5D034BA15
, 5D034DA07
