特許

J-GLOBAL ID：200903002218030716

カーボンナノチューブの埋め込みによる促進された磁束ピン止め作用を持つ超電導体

発明者： クリスチャン ファースハイム ,  トーマス エブソン
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  フロリダ ステート ユニバーシティー
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114513
公開番号（公開出願番号）：特開平8-325017
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：

【要約】超電導体における促進された磁束ピン止め(ピンニング)は、超電導基質へカーボンナノチューブを埋め込むことによって達成される。カーボンナノチューブは、Bi2 Sr2 CaCu2 O8+x のような超電導体中において重イオンで引き起こされる円柱形の欠陥の構造、大きさ、および形状を模擬試験する。ナノチューブは、酸素を含む雰囲気および不活性雰囲気の両方の中にておよそ800°C以上の処理温度で残る。ナノチューブを持つ超電導基質は、最も好ましい場合の純粋な超電導材を処理するための温度よりも低い温度で熱処理する。

請求項（抜粋）：

高Tc(超電導臨界温度)超電導材と、前記高Tc超電導材を埋め込んだカーボンナノチューブとを有することを特徴とする超電導体。

IPC (3件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01B 31/02 101

FI (3件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C01B 31/02 101 Z