特許
J-GLOBAL ID：200903002218217034
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022337
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189830
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 従来の薄型の樹脂封止型半導体装置では、リードフレームと封止樹脂との接触面積の低下により、製品の信頼性が低下するという課題があった。【解決手段】 リードフレーム9の吊りリード10がアップセット処理され、段差部17を有しているので、ダイパッド部11の下方にも封止樹脂15aを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである。また外部端子であるアウターリード部16は、封止樹脂15の側面部と実質的に同一面にあり、従来のように封止樹脂よりも突出しているものではないため、アウターリード部16の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。
請求項（抜粋）：
リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の上面の電極とインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記吊りリードはアップセット処理され、段差部を有し、前記ダイパッド部の下方にも封止樹脂が前記アップセット分の厚みで形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/28 J
, H01L 23/50 U
