特許

J-GLOBAL ID：200903002219236784

高融点シリサイドを持つ半導体装置とその製造方法

発明者： 末永 淳
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213849
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064349
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 複雑なプロセスを用いることなく、しかも大幅な工程像を招くことなく、高融点金属シリサイドを形成するにもかかわらず、低抵抗な拡散層と高抵抗な拡散層とを同時に形成することができる半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】 拡散層16,18の表面に高融点シリサイド22a,22bが形成してある半導体装置において、同一半導体基板2上に形成された第1拡散層16の構造と第2拡散層18の構造とが相違する。第1拡散層16は、たとえば保護回路と成るMOSトランジスタのソース・ドレイン領域であり、第2拡散層18は、保護回路以外のたとえばメモリセル回路のためのMOSトランジスタのソース・ドレイン領域である。第1拡散層16の表面の不純物濃度は、第2拡散層18の表面の不純物濃度よりも高く設定してある。拡散層16の表面の不純物濃度を高く設定することで、その表面に形成される高融点金属のシリサイド化反応が不十分になり、結果的に抵抗が下がらず高抵抗になる。

請求項（抜粋）：

拡散層の表面に高融点シリサイドが形成してある半導体装置において、同一半導体基板上に形成された第1拡散層の構造と第2拡散層の構造とが相違する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 301 L