特許
J-GLOBAL ID：200903002226339149
低温系鉛フリーはんだ組成及びそれを用いた電子部品実装構造体
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-376560
公開番号（公開出願番号）：特開2002-178191
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：
【要約】【課題】Sn-1Ag-57Bi共晶の低融点はんだは融点が低いため特に高温での接合部界面の強度、組織の安定性に欠け大気中でのフローでははんだ浴中のドロス量が多い。【解決手段】Sn-Ag-Bi共晶系はんだにNiを微量添加し、高温で長時間使用した場合の接合界面の強度を確保し、組織の高温での安定性を確保する。Tiを微量添加することで分散されて組織が微細化し、高温時に組織の粗大化を阻止する。Cuを微量添加することでCuへのくわれ防止、強度向上を期待できる。Inを微量添加し、材料が脆くなるのを防止し、柔軟性をもたらす。はんだ浴中のはんだの酸化防止のためGeとPを併用した微量添加で大気中での長期間の使用を可能にする。リフトオフを発生させず、はんだ付け温度を大幅に変えない程度で液相線温度の高い系を選び見かけ上の融点を上げ耐高温性を確保。
請求項（抜粋）：
Sn-(0.1〜2.0)mass%Ag-(35〜60)mass%Biに(0.01〜1)mass%Niを添加した鉛フリーはんだ組成、及び該はんだで接続し、基板に実装したことを特徴とする鉛フリーはんだ組成及びそれを用いた実装構造体。
IPC (4件)：
B23K 35/26 310
, B23K 1/00 330
, C22C 13/02
, H05K 3/34 512
B23K 35/26 310 A
, B23K 1/00 330 E
, C22C 13/02
, H05K 3/34 512 C
5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319BB01
