特許
J-GLOBAL ID：200903002226399532
半導体圧力センサのパッケージング構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-217086
公開番号（公開出願番号）：特開平8-082563
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 外ケースからの圧力漏れによる測定精度の劣化を防ぐことができる半導体圧力センサのパッケージング構造を提供することである。【構成】 被測定圧力により変形するダイヤフラム4を有するシリコン基板1と電極部3を有する絶縁基板2とが接合されて形成された検出素子部10と、圧力流入貫通孔11を有する上側外ケース6及び下側外ケース7とを備え、さらに、シリコン基板1と上側外ケース6との間の隙間をシールし、圧力流入貫通孔11からの圧力をダイヤフラム4に送るための圧力送出貫通孔13を有する気密シール部5を具備して構成されている。
請求項（抜粋）：
被測定圧力により変形するダイヤフラムを有するシリコン基板と電極部を有する絶縁基板とが接合されて形成された検出素子部と、圧力流入貫通孔を有する上側外ケース及び下側外ケースとで構成された半導体圧力センサにおいて、さらに、前記シリコン基板と前記上側外ケースとの間の隙間をシールし、前記圧力流入貫通孔からの圧力を前記ダイヤフラムに送るための圧力送出貫通孔を有する気密シール部を備えていることを特徴とする半導体圧力センサのパッケージング構造。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, H01L 23/02
, H01L 29/84
