特許
J-GLOBAL ID：200903002227787900
誘電体フィルター及びその製造方法、並びに誘電体配線基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 三千雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-023611
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216617
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 セラミック誘電体基板と導体路とを同時焼成してなる誘電体フィルターにおいて、誘電体基板と導体路との密着性を改善すると共に、それらの界面における隙間やポアの発生を防止し、特性を安定させ、バラツキをなくす。【構成】 セラミック誘電体基板4,8,12の内部や表面に共振用電極6やアース電極2等の導体路が設けられてなる誘電体フィルターにおいて、導体路の少なくとも一部を、Ag及びRhよりなり且つその組成比率が重量割合でRh/Ag=0.00001〜0.00009である導体材料にて形成すると共に、前記誘電体基板と共に同時焼成せしめた。
請求項（抜粋）：
セラミック誘電体基板の内部や表面に共振用電極やアース電極等の導体路が設けられてなる誘電体フィルターにして、かかる導体路の少なくとも一部が、Ag及びRhよりなり且つその組成比率が重量割合でRh/Ag=0.00001〜0.00009である導体材料にて形成されると共に、前記誘電体基板と共に同時焼成されてなることを特徴とする誘電体フィルター。
IPC (6件)：
H01P 11/00
, H01B 1/16
, H01P 1/203
, H01P 1/205
, H05K 1/09
, H05K 3/46
