特許

J-GLOBAL ID：200903002228499712

絶縁ゲート型半導体装置

発明者： 吉村 充弘 ,  五十嵐 保裕
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058641
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250946
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】パワーMOSFETではソース電極にボンディングワイヤを打つストレスで層間絶縁膜にマイクロクラックが発生してゲート・ソース間短絡が起きる問題があった。【解決手段】本発明はソース電極5の一部で形成するソースパッド電極8の下にセル4を形成しないので、ボンディング時のストレスが加わってもゲート・ソース間短絡の発生を防げ、信頼性の高い絶縁ゲート型半導体装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

多数のMOSトランジスタのセルを配列された実動作領域と該実動作領域上に設けられ前記MOSトランジスタの各セルのソース領域と接続されたソース電極を備え、前記ソース電極下の前記実動作領域に前記セルを設けないソースパッド電極を設けたことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 652 S