特許

J-GLOBAL ID：200903002228868939

半導体装置およびその製造方法

発明者： 熊野 暢
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252858
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076132
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】耐圧が高く、かつ、逆方向電流増幅率の高いIIL素子を形成する。【解決手段】P型半導体基板10に拡散速度の異なる2種類の不純物を導入し、その後に、N型半導体エピタキシャル成長層15を基板10上に成長させる。これにより、埋め込み層22が形成され、この埋め込み層22上にN+型ウエル23が形成される。N+型ウエル23は、エピタキシャル成長層15の表層部には達しない。このエピタキシャル成長層15の表層部に、IIL素子30の構成要素となる第1および第2のP型拡散領域31,32が形成される。【効果】第2のP型拡散領域32を比較的深い接合にできるから、耐圧を向上できる。第2のP型拡散領域32の直下のN+型ウエル23の働きにより、逆方向電流増幅率を高くできる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の領域および第2の領域に第1の不純物が導入されて形成された第1不純物層および第2不純物層と、上記第2不純物層上に形成され、第2の不純物が導入された第3不純物層と、上記第1不純物層の上方の半導体層の表層部に形成された第1の素子と、上記第3不純物層の上方の半導体層の表層部に形成された第2の素子とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8226 ,  H01L 27/082 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/08 101 M ,  H01L 29/72

Fターム (25件)：

5F003AP00 ,  5F003BC09 ,  5F003BE01 ,  5F003BG03 ,  5F003BJ00 ,  5F003BJ03 ,  5F003BN01 ,  5F003BN02 ,  5F003BP03 ,  5F003BP08 ,  5F003BP23 ,  5F003BP31 ,  5F082AA02 ,  5F082AA14 ,  5F082BA02 ,  5F082BA12 ,  5F082BA13 ,  5F082BA42 ,  5F082BA43 ,  5F082BC04 ,  5F082EA03 ,  5F082EA08 ,  5F082EA10 ,  5F082EA22 ,  5F082FA08