特許
J-GLOBAL ID：200903002229018882
半導体レーザモジュール、それを用いたファイバ増幅器と光通信システム
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-027333
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374037
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 高光出力動作をし、波長安定性も優れていて、ラマン増幅用の励起光源として有用な半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】 このモジュールは、ファブリ・ペロー型半導体レーザ素子の前端面に、波長選択性を有し、かつ特定波長に対して特定のピーク反射率を示すファイバブラッググレーティングが光結合されている半導体レーザモジュールであって、半導体レーザ素子の共振器長をL(μm)、ファイバブラッググレーティングの反射帯域幅をΔλ(nm)とし、また、前記半導体レーザ素子からの発振レーザ光に対する前端面の反射率をR1(%)、ファイバブラッググレーティングのピーク反射率をR2(%)としたとき、次式:1000μm≦L≦3500μm、0.01%≦R1+c2R2≦4%(ただし、cは、半導体レーザ素子3とファイバブラッググレーティング7Aとの結合効率を表す)、および、R1/R2≦0.8が成立している。更に0.2nm≦Δλ≦3nmが成立していることを好適とする。
請求項（抜粋）：
ファブリ・ペロー型半導体レーザ素子の前端面に、波長選択性を有し、かつ、特定波長に対して特定の反射率を示す光帰還部品が光結合されていて、前記半導体レーザ素子の共振器長をL(単位:μm)、前記半導体レーザ素子からの発振レーザ光に対する、前記前端面の反射率をR1(%)、前記光帰還部品のピーク反射率をR2(%)としたとき、L、R1,R2の間では、次式:1000μm≦L≦3500μm、および、0.01%≦R1+c2R2≦4%(ただし、cは、半導体レーザ素子と光帰還部品との間の結合効率を表わす)が成立していることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
2H037AA01
, 2H037BA03
, 2H037CA33
, 2H037DA03
, 2H037DA04
, 2H037DA05
, 5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA67
, 5F073AA83
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073DA32
, 5F073EA01
, 5F073EA03
, 5F073EA16
, 5F073EA22
, 5F073FA25
, 5F073GA23
