特許

J-GLOBAL ID：200903002234503675

集積型薄膜太陽電池及びその製造方法

発明者： 島川 伸一 ,  林 茂生 ,  佐藤 ▲琢▼也 ,  根上 卓之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355802
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165338
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】 電極間の短絡を防止した上で、非発電領域を低減させることができる集積型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板(10)と、基板(10)上に順次積層された第1電極膜(11)、半導体膜(12)及び第2電極膜(13)とを含み、複数のユニットセル(20)のそれぞれは、第1分割溝(11a)により分割された第1電極膜(11)と、第2分割溝(12a)により分割された半導体膜(12)と、第3分割溝(13a)により分割された第2電極膜(13)とを含む積層体から構成されており、第1分割溝(11a)内において、少なくとも第2分割溝(12a)側に位置する側端部(111a)は、基板(10)の一部が除去されている集積型薄膜太陽電池(1)とする。【選択図】 図1

請求項１：

直列接続された複数のユニットセルと、前記複数のユニットセルが設けられた基板とを含む集積型薄膜太陽電池であって、 前記基板上に順次積層された第1電極膜、半導体膜及び第2電極膜を含み、 前記複数のユニットセルのそれぞれは、第1分割溝により分割された前記第1電極膜と、第2分割溝により分割された前記半導体膜と、第3分割溝により分割された前記第2電極膜とを含む積層体から構成されており、 前記第1分割溝は、前記第1電極膜を貫通し、かつ前記基板の一部を除去して形成されており、 前記第2分割溝は、前記半導体膜を貫通し、かつ前記第1分割溝に沿って形成されており、 前記第3分割溝は、前記第2電極膜を貫通し、かつ前記第2分割溝に沿って形成されており、 前記第1分割溝内において、少なくとも前記第2分割溝側に位置する側端部は、前記基板の一部が除去されていることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/042

FI (3件)：

H01L31/04 S ,  H01L31/04 C ,  H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051CB29 ,  5F051EA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公平4-72392号公報